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锴威特推出全国首款150V高压理想二极管控制器--CSV2571

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从原理到布线：GaN栅极驱动Layout实战，解锁激光雷达性能跃迁

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从隔离电流采样ADC NSI1306 实战看：如何解决 Shunt 电阻引发的伺服电流采样误差

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GaN HEMT驱动芯片NSD2017助力解决激光雷达应用挑战

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自动驾驶是新能源汽车智能化的重要发展方向，而具备强感知能力的激光雷达则是L2+及以上级别自动驾驶不可或缺的硬件设备。纳芯微的单通道高速栅极驱动芯片NSD2017，专为激光雷达发射器中驱动GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）而设计，助力应对激光雷达应用中的各项挑战。

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